Perangkat UFS Baru dengan BiCS FLASH™(1) Generasi ke-8 dari Kioxia Meningkatkan Kecepatan dan Efisiensi Daya
Tokyo--(ANTARA/Business Wire)-- Kioxia Corporation adalah perusahaan terdepan di dunia di bidang solusi memori. Hari ini Kioxia mengumumkan telah mulai membagikan sampel perangkat memori tertanam Universal Flash Storage(2) (UFS) Ver. 4.1 baru untuk memperkuat kepemimpinannya di bidang penyimpanan berkinerja tinggi. Dirancang untuk memenuhi tuntutan aplikasi seluler generasi mendatang, termasuk telepon seluler pintar yang canggih dengan AI pada perangkat, perangkat baru ini menghasilkan peningkatan kinerja dengan daya lebih efisien(3) dalam paket BGA berukuran kecil.
Perangkat UFS Ver. 4.1 dari Kioxia mengintegrasikan flash memory 3D BiCS FLASH™ inovatif dan alat kontrol dari Kioxia dalam paket standar JEDEC. Perangkat UFS baru ini dibuat dengan flash memory 3D BiCS FLASH™ generasi ke-8 dari Kioxia.(1). Generasi ini memperkenalkan teknologi CBA (CMOS directly Bonded to Array), sebuah inovasi arsitektur yang merupakan perubahan besar dalam desain flash memory. Dengan mengikat sirkuit CMOS secara langsung ke array memori, teknologi CBA memungkinkan peningkatan signifikan untuk efisiensi daya, kinerja, dan kepadatan.
Dengan perpaduan kecepatan dan pemakaian daya rendah, perangkat UFS Ver. 4.1 Kioxia dirancang untuk meningkatkan pengalaman pengguna - memungkinkan pengunduhan lebih cepat dan kinerja aplikasi lebih lancar.
Fitur Utama:
- Tersedia dalam kapasitas 256 gigabyte (GB), 512 GB dan 1 terabyte (TB)
- Peningkatan kinerja dibanding generasi sebelumnya(3):
o Penulisan acak: 512 GB/1 TB kira-kira lebih dari 30%
o Pembacaan acak: 512 GB kira-kira lebih dari 45%, 1 TB kira-kira lebih dari 35%
- Peningkatan efisiensi daya dibandingkan generasi sebelumnya(3):
o Baca: 512 GB/1 TB, peningkatan kira-kira lebih dari 15%
o Tulis: 512 GB/1 TB, peningkatan kira-kira lebih dari 20%
- Host Initiated Defragmentation memungkinkan pengumpulan sampah yang tertunda untuk menghasilkan kecepatan kinerja tanpa gangguan selama waktu kritis
- Pengubahan ukuran buffer WriteBooster meningkatkan fleksibilitas untuk kinerja yang optimal
- Dukungan standar UFS Ver. 4.1
- Tinggi paket lebih pendek untuk model 1 TB dibanding generasi sebelumnya(4)
- Menggunakan flash memory 3D BiCS FLASH™ generasi ke-8 dari Kioxia(1)
Tautan Terkait:
Halaman Produk UFS 4.1 Kioxia
https://www.kioxia.com/en-jp/business/memory/mlc-nand/ufs4.html
Catatan:
(1) Model 512 GB/1 TB saja.
(2) Universal Flash Storage (UFS) adalah kategori produk untuk kelas produk memori tertanam yang dibuat berdasarkan spesifikasi standar JEDEC UFS. Berkat antarmuka serialnya, UFS mendukung dupleks penuh sehingga menghasilkan pembacaan dan penulisan data serentak antara prosesor host dan perangkat UFS.
(3) Dibandingkan perangkat 512 GB generasi sebelumnya, yakni “THGJFMT2E46BATV”, dan perangkat 1 TB, “THGJFMT3E86BATZ” (model 512 GB/1 TB saja).
(4) Perangkat 1 TB generasi sebelumnya, “THGJFMT3E86BATZ”.
*Setiap kali menyebutkan produk Kioxia: Kepadatan produk diidentifikasi berdasarkan kepadatan chip memori dalam Produk, bukan jumlah kapasitas memori yang tersedia untuk penyimpanan data oleh pengguna akhir. Kapasitas yang dapat digunakan konsumen akan lebih sedikit karena area data overhead, pemformatan, blok yang rusak, dan kendala lainnya, serta dapat bervariasi berdasarkan perangkat host dan aplikasi. Definisi 1 KB = 2^10 byte = 1.024 byte. Definisi 1 Gb = 2^30 bit = 1.073.741.824 bit. Definisi 1 GB = 2^30 byte = 1.073.741.824 byte. 1 TB = 2^40 bit = 1.099.511.627.776 bit. 1 TB = 2^40 byte = 1.099.511.627.776 byte.
*Kecepatan baca dan tulis adalah nilai terbaik yang diperoleh di lingkungan pengujian tertentu di Kioxia Corporation. Kioxia Corporation tidak menjamin kecepatan baca maupun tulis di setiap perangkat. Kecepatan baca dan tulis dapat bervariasi, tergantung pada perangkat yang digunakan dan ukuran berkas yang dibaca atau ditulis.
* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin adalah merek dagang milik perusahaan pihak ketiga.
Tentang Kioxia
Kioxia adalah perusahaan terkemuka di dunia di bidang solusi memori, khusus untuk pengembangan, produksi, dan penjualan flash memory dan Solid-State Drive (SSD). Perusahaan pendahulunya, Toshiba Memory, dipisahkan dari Toshiba Corporation pada bulan April 2017. Toshiba Corporation adalah perusahaan penemu memory flash NAND pada tahun 1987. Kioxia berkomitmen untuk mengangkat dunia dengan "memori" melalui penawaran produk, layanan, dan sistem yang memberikan pilihan bagi pelanggan dan nilai berdasarkan memori bagi masyarakat. Teknologi flash memory 3D Kioxia yang inovatif, BiCS FLASH™, membentuk masa depan penyimpanan dalam aplikasi berkepadatan tinggi, termasuk smartphone canggih, komputer, SSD, sistem otomotif, pusat data, dan sistem AI generatif.
Pertanyaan Pelanggan:
Kioxia Corporation
Global Sales Offices
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html
*Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan dan informasi kontak, adalah benar pada tanggal diumumkan, namun dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.
Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.
Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/20250707306499/en
Contacts
Pertanyaan Media:
Kioxia Corporation
Promotion Management Division
Koji Takahata
Tel: +81-3-6478-2404
